RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 147–153 (Mi phts6223)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y

В. А. Ромакаab, P. Roglc, В. В. Ромакаb, D. Kaczorowskid, В. Я. Крайовскийb, Ю. В. Стадныкe, А. М. Горыньe

a Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, г. Львов
b Национальный университет ``Львовская политехника''
c Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
d Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
e Львовский национальный университет им. И. Франко

Аннотация: Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: $T$ = 80–400 K, $N_{A}^{Y}\approx$ 1.9 $\cdot$ 10$^{20}$–5.7$^{21}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.01–0.30) и $H\le$ 10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения $\sim$1% атомов Ni из позиции Hf (4$a$) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4$a$ атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf$_{1-x}$Y$_{x}$NiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.

Поступила в редакцию: 15.03.2015
Принята в печать: 10.08.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:2, 139–145

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024