RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 216–221 (Mi phts6236)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины

Р. Г. Валеевa, А. Л. Тригубab, А. И. Чукавинc, А. Н. Бельтюковc

a Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Физико-технический институт Уральского отделения РАН

Аннотация: Представлены результаты исследований методами EXAFS, XANES и рентгенодифракционных исследований наноразмерных структур ZnS : Cu (5 ат%), полученных методом термического осаждения смеси порошков ZnS и Cu в матрицы пористого анодного оксида алюминия с диаметром пор 80 нм и толщиной 1, 3 и 5 мкм. Проведено сравнение с результатами, полученными для пленок ZnS : Cu, осажденных на поверхность поликора. Рентгенофазовый анализ образцов показал наличие соединений меди и цинка с серой (Cu$_{2}$S и ZnS соответственно), причем последнее находится в кубической (сфалерит) и гексагональной (вюрцит) модификациях. EXAFS- и XANES-исследования на $K$-крае поглощения цинка и меди показали, что в образцах, напыленных на поликор и оксид алюминия толщиной 3 и 5 мкм, большая часть атомов меди находится в соединении Cu$_{2}$S, тогда как в образце, напыленном на слой оксида алюминия толщиной 1 мкм, атомы меди формируют на поверхности образца металлические частицы. Наличие кристаллической меди оказывает влияние на межатомное расстояние Zn–S для образца с толщиной слоя пористого Al$_{2}$O$_{3}$ 1 мкм: оно меньше по сравнению с характерным для других образцов.

Поступила в редакцию: 06.06.2016
Принята в печать: 16.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44108.8344


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:2, 207–212

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024