С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2,страницы 234

Физика полупроводниковых приборов

Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC

С. Н. Юрков^a, Т. Т. Мнацаканов^a, М. Е. Левинштейн^b, А. Г. Тандоев^a, J. W. Palmour^c

^a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Wolfspeed, USA

Аннотация: Рассмотрено влияние неодномерных эффектов, обусловленных растеканием тока управления в базовом слое, на величину отпирающего тока управления тиристоров на основе 4$H$-SiC. Показано, что реализующийся в 4$H$-SiC тиристорах новый механизм переключения приводит к зависимости отпирающего тока управления от параметров тиристора, качественно отличающейся от соответствующей зависимости в традиционных кремниевых тиристорах.

Поступила в редакцию: 24.05.2016
Принята в печать: 14.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44111.8335