RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 258–262 (Mi phts6243)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа

П. И. Кузнецов, С. В. Аверин, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: На основе сверхешетки ZnSe/ZnTe второго типа создан и исследован МПМ фотодетектор. Детектор обладает низкими темновыми токами и высокой чувствительностью. Спектральная характеристика детектора показывает возможность селективного детектирования трех отдельных участков спектра видимого и ближнего инфракрасного излучения.

Поступила в редакцию: 09.06.2016
Принята в печать: 23.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44115.8349


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:2, 249–253

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024