Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии

Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур $T$ = 600–800$^\circ$C. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5 $\cdot$10$^{14}$ и 2 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния $D_{i}$ при некоторой заданной $T$ определялся путем измерения глубины $p$–$n$-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени $t$. В результате исследований впервые определена зависимость $D_{i}(T)$. Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму.