Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт.

Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком $\sim$16 $\mathring{\mathrm{A}}$. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний.