Рост, структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe

Проведено исследование структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных на стеклянных подложках без компенсации и с компенсацией дополнительным источником паров Те в процессе роста. Определены оптимальные условия ($T_{\operatorname{so}}$ = 1000–1100 K, $T_{\operatorname{su}}$ = 570–670 K) получения эпитаксиальных пленок с совершенной структурой и чистой, гладкой поверхностью, без включения второй фазы. Установлено, что на стеклянных подложках эпитаксиальные пленки растут плоскостью (111) кубической границентрированной решетки с параметром $a$ = 6.481 $\mathring{\mathrm{A}}$.
Регулированием температуры основного и компенсирующего источников получены пленки CdTe c $n$- и $p$-типом проводимости.