RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 51–55 (Mi phts6257)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе”

В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов

Омский научный центр СО РАН

Аннотация: Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре “макропористый кремний–мезопористый кремний”. Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов “шипов”, возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя $E_{\operatorname{br}}\sim$ 10$^{4}$–10$^{5}$ В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур “пористый кремний-на-изоляторе” в интегрированных химических микро- и наносенсорах.

Поступила в редакцию: 24.03.2016
Принята в печать: 04.04.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43995.8246


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 49–53

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024