RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 63–67 (Mi phts6259)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Получение гетероструктурных оксидных композиций для перспективных солнечных элементов нового поколения

А. А. Бобков, Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, В. А. Мошников, С. С. Налимова

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Рассматриваются перспективы создания солнечных элементов на основе оксидов металлов с объемным гетеропереходом, при этом ZnO был сформирован методом гидротермального синтеза. Представлены результаты синтеза наностержней оксида цинка на различных затравочных слоях. Отмечена значительная роль операции формирования зародышевого слоя. Показана возможность управления структурой массивов наностержней посредством использования поверхностно-активного вещества. Полученные ограненные наностержни перспективны для получения солнечных элементов нового поколения.

Поступила в редакцию: 21.06.2016
Принята в печать: 29.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43997.8356


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 61–65

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024