RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 111–115 (Mi phts6267)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств

Д. А. Кудряшовa, А. С. Гудовскихab, А. В. Бабичевcde, А. В. Филимоновc, А. М. Можаровa, В. Ф. Агекянf, Е. В. Борисовf, А. Ю. Серовf, Н. Г. Философовf

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Методом магнетронного распыления сформированы наноразмерные слои оксида меди (I) на стеклянных и кремниевых подложках при комнатной температуре в бескислородной среде и проведены исследования их структурных и оптических свойств. Показано, что на кремниевой подложке происходит формирование оксида меди с меньшей разупорядоченностью, нежели на стекле, это подтверждается большей интенсивностью и меньшей полушириной рефлексов дифрактометрической кривой. Наибольшая интенсивность рефлексов дифрактометрической кривой наблюдается для пленок Cu$_{2}$O, выращенных на кремнии при мощности магнетрона 150 Вт. Спектральная зависимость коэффициентов поглощения и пропускания этих же пленок Cu$_{2}$O согласуется с известными зависимостями для объемных кристаллов. В рамановских спектрах пленок идентифицированы фононы, соответствующие кристаллической решетке кубических кристаллов Cu$_{2}$O.

Поступила в редакцию: 10.05.2016
Принята в печать: 18.05.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44005.8318


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 110–114

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024