Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов

Проведены исследования чувствительности параметров классических $n^{+}/n^{-}$ GaAs и AlGaN/GaN структур с двумерным электронным газом (НЕМТ) и полевых транзисторов на их основе к $\gamma$-нейтронному воздействию. Определены уровни их радиационной стойкости. Развит метод экспериментального исследования структур на основе дифференциального анализа вольт-фарадных характеристик, позволяющий определять слои структуры, в которых накапливаются радиационные дефекты. Впервые предложена методика, позволяющая учесть изменение площади обкладок измеряемой емкости барьерного контакта, связанной с возникновением кластеров радиационных дефектов, формирующих диэлектрические включения в слое двумерного электронного газа.