В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1610

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn

В. А. Тимофеев^a, А. И. Никифоров^ab, А. Р. Туктамышев^a, М. Ю. Есин^a, В. И. Машанов^a, А. К. Гутаковский^a, Н. А. Байдакова^c

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Национальный исследовательский Томский государственный университет
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Изучены температурные и композиционные зависимости критической толщины 2D–3D перехода для пленки GeSiSn на поверхности Si(100). Впервые исследованы закономерности формирования многослойных структур, содержащих псевдоморфные слои GeSiSn непосредственно на Si без релаксированных буферных слоев. Методом просвечивающей электронной микроскопии показана возможность создания многослойных структур на основе псевдоморфных пленок GeSiSn и определены параметры кристаллической решетки. Выращенные структуры продемонстрировали фотолюминесценцию для содержания Sn в слоях GeSiSn от 3.5 до 5%.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016