И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1644

Эта публикация цитируется в 1 статье

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN

И. В. Штром^abc, А. Д. Буравлев^abc, Ю. Б. Самсоненко^bcd, А. И. Хребтов^bd, И. П. Сошников^abc, Р. Р. Резник^bde, Г. Э. Цырлин^dcb, V. Dhaka^f, A. Perros^f, H. Lipsanen^f

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^f Aalto University, Finland

Аннотация: Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 $\mathring{\mathrm{A}}$.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016