А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, “Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1713

Эта публикация цитируется в 9 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм

А. Н. Акимов^a, А. Э. Климов^a, С. В. Морозов^bc, С. П. Супрун^a, В. С. Эпов^a, А. В. Иконников^bc, М. А. Фадеев^bc, В. В. Румянцев^cb

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований динамики фотопроводимости пленок PbSnTe : In с высоким содержанием SnTe и с соответствующим краем фундаментального поглощения вблизи 30 мкм при гелиевых температурах. Рассмотрены возможные причины гигантской (выше 2 порядков) отрицательной фотопроводимости образцов.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016