Кинетика рекомбинационно-ускоренного отжига дефектов в полупроводниках

Проведены расчеты кинетики рекомбинационно-ускоренного отжига дефектов в полупроводниковых $p{-}n$-структурах при инжекции неравновесных носителей. Получена аналитическая система параметрических уравнений, описывающая изменения во времени концентрации дефектов и интегральной квантовой эффективности излучательной рекомбинации. Расчеты показывают, что при линейной рекомбинации изменение указанных величин определяется величиной прошедшего через $p{-}n$-переход заряда, однако кинетика при этом имеет сложный характер.