Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера

Создан полупроводниковый лазер с оригинальным волноводом, позволяющим добиться существенного обужения диаграммы направленности (до 4$^\circ$ в плоскости, перпендикулярной $p$–$n$-переходу). В использованном волноводе, благодаря подбору толщины ограничительных слоев Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, обеспечивается минимальное превышение эффективного показателя преломления возбуждаемой моды $n_{\operatorname{eff}}$ над показателем преломления подложки $n_{\operatorname{s}}$ ($n_{\operatorname{eff}}$–$n_{\operatorname{s}}\ll$ 1), что существенно увеличивает размер волноводной моды и приводит к обужению диаграммы направленности.