RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 3,
страницы
562–565
(Mi phts632)
Краткие сообщения
Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах Si
$\langle$
Ge
$\rangle$
Л. И. Хируненко
,
В. И. Шаховцов
, В. К. Шинкаренко
,
Л. И. Шпинар
,
И. И. Ясковец
Полный текст:
PDF файл (495 kB)
©
МИАН
, 2024