RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 3, страницы 562–565 (Mi phts632)

Краткие сообщения

Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах Si$\langle$Ge$\rangle$

Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец




© МИАН, 2024