RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1320–1324 (Mi phts6333)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Электронные свойства полупроводников

Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре

А. В. Бабичевab, A. Bousseksouc, Н. А. Пихтинd, И. С. Тарасовd, Е. В. Никитинаe, А. Н. Софроновf, Д. А. Фирсовf, Л. Е. Воробьевf, И. И. Новиковad, Л. Я. Карачинскийad, А. Ю. Егоровba

a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Institut d’Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris Saclay, France
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: В ходе работы продемонстрирована генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм в импульсном режиме при комнатной температуре. Гетероструктура квантово-каскадного лазера на основе гетеропары твердых растворов InGaAs/InAlAs была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и включала 60 идентичных каскадов. Плотность порогового тока для полоскового лазера длиной 1.4 мм и шириной 22 мкм составляла $\sim$4.8 кA/см$^{2}$ при температуре 303 K. Максимальная зарегистрированная детектором мощность оптического излучения, выходящего с одного торца ККЛ составляет 88 мВт. Реальная оптическая мощность, выходящая с одного торца ККЛ, не менее чем 150 мВт. В статье обсуждаются полученные результаты и возможные пути оптимизации конструкции созданных квантово-каскадных лазеров.

Поступила в редакцию: 13.04.2016
Принята в печать: 18.04.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:10, 1299–1303

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024