Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$

Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры наноинтерфейса Cs/нано-SiC/Si(111) 4$^\circ$ с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий фотонов 120–450 эВ. Эксперименты проведены in situ при субмонослойных Cs покрытиях на поверхности эпитаксиального слоя SiC, выращенного новым методом замещения атомов подложки на вицинальной поверхности Si(111) 4$^\circ$. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1$s$, Si 2$p$. Обнаружено появление индуцированных Cs поверхностных состояний с энергиями связи 1.2, 7.4 эВ и резкое изменение спектра остовного уровня C 1$s$ с появлением двух дополнительных мод. Эволюция спектров показывает, что формирование интерфейса Cs/нано-SiC(111) 4$^\circ$ происходит за счет переноса заряда от адатомов Cs к поверхностным атомам на террасах и ступенях вицинальной поверхности. Обнаружено, что структура С-слоя является неординарной и характеризуется энергетически различными состояниями углерода.