Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур

Планарные кремниевые наноструктуры, представляющие собой сверхузкую кремниевую квантовую яму, ограниченную $\delta$-барьерами, сильно легированными бором, используются для изучения диэлектрических свойств олигонуклеотидов ДНК, нанесенных на их поверхность. Регистрация емкостных характеристик кремниевых наноструктур с нанесенными на их поверхность олигонуклеотидами проводилась с помощью измерений локальных туннельных вольт-амперных характеристик в рамках методики сканирующей туннельной микроскопии. Полученные результаты показывают возможность идентификации локальных диэлектрических свойств участков олигонуклеотида ДНК, состоящих из повторяющихся пар G–C, которые, по-видимому, позволяют соотнести их с полимерными молекулами, проявляющими свойства мультиферроиков.