Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики

С применением эпитаксии из жидкой фазы, химического осаждения из паров металлорганических соединений и диффузии из газовой фазы в подложку $n$-GaSb разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения c длиной волны $\lambda$ = 1550 нм. Изготовлены и протестированы фотоэлементы площадью $S$ = 4, 12.2 и 100 мм$^{2}$, проведено сравнение характеристик образцов, полученных различными технологическими методами. На лучших преобразователях ($S$ = 12.2 мм$^{2}$) значения монохроматической эффективности составили 38.7% при мощности лазерного излучения 1.4 Вт.