Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)

Целью настоящей работы является исследование основных фотоэлектрических характеристик трехкаскадных фотоэлектрических преобразователей InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C). Благодаря анализу спектров фоточувствительности и световых вольт-амперных характеристик определены зависимости от температуры таких величин, как напряжение холостого хода (V$_{\operatorname{oc}}$), фактор заполнения вольт-амперной характеристики (FF) и эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения. Исследования проводились при интенсивностях засветки, соответствующих работе при концентрированном облучении. Пониженные температуры способствовали отбору образцов с минимальными “паразитными” потенциальными барьерами. Оценено влияние процессов переноса возбуждения из каскада в каскад с помощью вторичного люминесцентного излучения. Наивысшая эффективность фотоэлектрического преобразования 52% была измерена при кратности концентрирования 100 “солнц” и температуре -160$^\circ$C.