RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1380–1386 (Mi phts6343)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний

Л. В. Асрянa, Ф. И. Зубовbc, Н. В. Крыжановскаяbc, М. В. Максимовcb, А. Е. Жуковbc

a Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассчитаны мощностные характеристики нового вида инжекционных лазеров – лазеров на квантовой яме (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Использована обобщенная модель, учитывающая асимметрию заполнения электронных и дырочных состояний. Показано, что электронно-дырочная асимметрия не влияет существенным образом на характеристики АБС лазеров – даже в присутствии промежуточных слоев (располагающихся между КЯ и каждой из двух АБС), в которых имеет место паразитная электронно-дырочная рекомбинация, внутренняя дифференциальная квантовая эффективность АБС лазера на КЯ слабо зависит от тока накачки и остается близкой к единице, а следовательно, ватт-амперная характеристика остается линейной при высоких уровнях накачки.

Поступила в редакцию: 29.02.2016
Принята в печать: 04.04.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:10, 1362–1368

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024