Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10,страницы 1395

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs

Р. А. Хабибуллин^a, Н. В. Щаврук^a, А. Ю. Павлов^a, Д. С. Пономарев^a, К. Н. Томош^a, Р. Р. Галиев^a, П. П. Мальцев^a, А. Е. Жуков^bc, Г. Э. Цырлин^cb, Ф. И. Зубов^c, Ж. И. Алфёров^bc

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
^b Санкт-Петербургский научный центр РАН
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы процессы постростовой обработки многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs для терагерцового квантово-каскадного лазера (ККЛ), включающей в себя термокомпрессионное соединение In–Au многослойных гетероструктур с легированной подложкой $n^{+}$-GaAs, механическую шлифовку и селективное жидкостное травление подложки, сухое травление гребневых мезаполосков ККЛ через маску металлизации Ti/Au с шириной 50 и 100 мкм. Подобраны режимы реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы в смеси газов BCl$_{3}$/Ar для получения вертикальных стенок гребневых мезаполосков ККЛ и минимального распыления маски Ti/Au.

Поступила в редакцию: 07.04.2016
Принята в печать: 12.04.2016