RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1408–1413 (Mi phts6347)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой

М. А. Бобровa, Н. А. Малеевa, С. А. Блохинa, А. Г. Кузьменковab, А. А. Блохинa, А. П. Васильевab, Ю. А. Гусеваa, М. М. Кулагинаa, Ю. М. Задирановa, С. И. Трошковa, В. Лисакac, В. М. Устиновab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Проведены исследования поляризационных характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами (далее ВК-ВИЛ) и ромбовидной формой оксидной токовой апертуры. Обнаружено, что поляризация излучения всегда фиксируется вдоль малой диагонали ромбовидной апертуры (вдоль кристаллографического направления [$\bar1$10]) для всех одномодовых ВК-ВИЛ. Численное моделирование транспорта носителей заряда не выявило существенной анизотропии инжекции носителей в активную область. Более того, анализ пространственного распределения фундаментальной моды для двух ортогональных поляризаций в рамках модели эффективного волновода показал близкие значения поперечного фактора оптического перекрытия. Анизотропия оптических потерь в асимметричном микрорезонаторе и/или анизотропия усиления напряженной активной области, по-видимому, ответственны за эффект фиксации поляризации.

Поступила в редакцию: 14.04.2016
Принята в печать: 20.04.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:10, 1390–1395

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024