Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)

Исследованы импульсные полупроводниковые лазеры, излучающие в спектральных диапазонах 1000–1100 и 1400–1600 нм при температурах 110–120 K, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что охлаждение до температур лазеров обоих спектральных диапазонов приводит к приближению ватт-амперных характеристик к линейным и достижению оптических мощностей 110 и 20 Вт соответственно. В лазерах, излучающих в спектральном диапазоне 1400–1600 нм, эффект низких температур ослаблен. Рассмотрены процессы, влияющие на увеличение внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах. Показано, что рост концентрации носителей заряда в волноводе лазерной структуры сильно зависит от температуры и определяется не мгновенным захватом (скоростью захвата) носителей заряда из волновода в активную область. Показано, что при понижении температуры до 115 K концентрация электронов и дырок в волноводе понижается, что приводит к существенному снижению внутренних оптических потерь и увеличению выходной оптической мощности полупроводникового лазера.