RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1425–1428 (Mi phts6350)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство

Ф. И. Зубовab, Н. В. Крыжановскаяab, Э. И. Моисеевa, Ю. С. Полубавкинаa, О. И. Симчукa, М. М. Кулагинаc, Ю. М. Задирановc, С. И. Трошковc, А. А. Липовскийab, М. В. Максимовabc, А. Е. Жуковab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы спектральные, пороговые и мощностные характеристики микродискового лазера диаметром 31 мкм с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре. Минимальное значение пороговой плотности тока составило 0.58 кА/см$^{2}$, допороговая ширина линий излучения мод шепчущей галереи составляет 50 пм при длине волны, лежащей в диапазоне 1.26–1.27 мкм. Полная излучаемая в свободное пространство мощность достигает в непрерывном режиме около 0.1 мВт, при этом мощность излучения мод шепчущей галереи составляет около 2.8%.

Поступила в редакцию: 18.04.2016
Принята в печать: 28.04.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:10, 1408–1411

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024