RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 3, страницы 573–575 (Mi phts636)

Краткие сообщения

Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии $n$-типа от температуры облучения электронами

А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев




© МИАН, 2024