RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 3,
страницы
573–575
(Mi phts636)
Краткие сообщения
Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии
$n$
-типа от температуры облучения электронами
А. В. Васильев
,
В. И. Панов
,
С. А. Смагулова
, С. С. Шаймеев
Полный текст:
PDF файл (450 kB)
©
МИАН
, 2024