Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения

Методами спектроскопии фотолюминесценции и фотопроводимости, а также методом спектроскопии фототока $p$-$i$-$n$-структуры исследованы образцы с гибридной квантово-размерной средой “квантовая яма–квантовые точки” (КЯТ), выращенные на подложках GaAs. В спектрах фотопроводимости и фототока обнаружен значительный вклад уровней КЯТ, расширяющий область поглощения GaAs до 1075 нм. Поглощение и люминесценция исследованных квантово-размерных структур облaдают особенностями, характерными для квантовых ям. Анализ спектров фототока и фотопроводимости показал, что выброс носителей заряда из локализованных состояний КЯТ имеет комбинированный характер: при температурах $<$ 100 K выброс возможен с помощью туннелирования в матрицу с приложением электрического поля 40 кВ/см, а при повышении температуры включается термическая активация. Также обнаружена латеральная фотопроводимость в слоях квантово-размерных структур.