Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм

Проведены исследования оптических свойств упругонапряженных полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs / InGaAlAs, предназначенных для формирования активной области лазерных диодов, излучающих в спектральном диапазоне 1520–1580 нм. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP реализованы активные области с различной степенью рассогласования параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs относительно параметра кристаллической решетки подложки InP. Максимальное относительное несоответствие параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs составило +2%. Оптические свойства упругонапряженных гетероструктур InGaAlAs /InGaAs / InP исследованы методами фотолюминесценции в диапазоне температур от 20 до 140$^\circ$C и различной плотности мощности возбуждающего лазера. Исследование оптических свойств экспериментальных образцов InGaAlAs / InGaAs / InP подтверждает возможность применения разработанных упругонапряженных гетероструктур для реализации активных областей лазерных диодов с высокой температурной стабильностью.