Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с $p$–$n$-переходами

Показана возможность определения ширины запрещенной зоны гомогенных $p$–$n$-структур по свойствам вольт-амперных характеристик при двух температурах: комнатной и повышенной на 30–50$^\circ$C. Получена рабочая формула для расчета и показано практическое ее применение для определения ширины запрещенной зоны на примерах $p$–$n$-структур из кремния, арсенида галлия и фосфида галлия. Полученные результаты с погрешностью до 1% согласуются с общепринятыми. Показана также возможность определения ширины запрещенной зоны гомогенных $p$–$n$-структур по вольт-фарадным характеристикам, измеренным при указанных температурах.