Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

На основе однопереходных структур AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений, разработаны и изготовлены преобразователи лазерного излучения с длиной волны $\lambda$ = 809 нм. С применением математического моделирования проведена оптимизация параметров фотоэлементной структуры – оптического “окна” и эмиттера. Изготовлены и исследованы преобразователи площадью $S$ = 10.2, 12.2 мм$^{2}$ и 4 cм$^{2}$. Для фотоэлементов с $S$ = 10.2 мм$^{2}$ значения монохроматической эффективности $(\eta)$ составили 60.0% при плотности тока 5.9 A/cм$^{2}$. Собран фотоэлектрический модуль с рабочим напряжением 4 В ($\eta$ = 56.3% при 0.34 А/cм$^{2}$).