Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, А. А. Рябко, А. А. Бобков, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9,страницы 1276

Эта публикация цитируется в 29 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов

Н. А. Лашкова^a, А. И. Максимов^a, А. А. Рябко^a, А. А. Бобков^a, В. А. Мошников^abc, Е. И. Теруков^ad

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработана модель гетероструктурного фотовольтаического элемента на основе оксидов цинка и меди. Зародышевые слои оксида цинка и оксида меди синтезированы методом спрей-пиролиза. Для формирования объемного гетероперехода выращены наностержни оксида цинка с помощью гидротермального синтеза. Изучены морфологические, электрофизические и оптические свойства полученных структур.

Поступила в редакцию: 03.03.2016
Принята в печать: 10.03.2016