Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs

Методами структурного анализа, атомно-силовой микроскопии, инфракрасной и видимой-ультрафиолетовой спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Пленки нитрида алюминия могут иметь показатель преломления в диапазоне 1.6–4.0 для области длин волн $\sim$250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны $\sim$5 эВ. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs.