RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1021–1024 (Mi phts6379)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Спектры низкотемпературной фотолюминесценции тонких поликристаллических пленок CdTe

Б. З. Полвонов, Н. Х. Юлдашев

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан

Аннотация: В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K) мелкозернистых (размеры $d_{\operatorname{cr}}\le$ 1 мкм) пленок CdTe обнаружены полоса собственного ($e$$h$) излучения, обусловленная приповерхностными потенциальными барьерами кристаллических зерен, и краевая дублетная полоса, возникающая как LO-фононные повторения полосы $e$$h$. Легирование пленки примесью In приводит к тушению дублетной полосы, а термическая обработка – к активации собственной полосы, коротковолновое смещение красной границы ($\Delta E_{r}$ = 16–29 мэВ) и модуляция полуширины ($\Delta_{A}$ = 6–17 мэВ) которой коррелируют с высотой микропотенциальных барьеров и температурой рекомбинирующих горячих фотоносителей.

Поступила в редакцию: 30.03.2015
Принята в печать: 19.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:8, 1001–1004

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024