Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$

Гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ получены путем напыления тонкой пленки нитрида титана (TiN) $n$-типа проводимости на подготовленные пластины Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ $p$-типа проводимости с помощью реактивного магнетронного распыления. Исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства, а также проанализированы доминирующие механизмы токопереноса при прямом смещении в рамках туннельно-рекомбинационной и туннельной моделей. Полученные структуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ имеют следующие фотоэлектрические параметры при интенсивности освещения 80 мВт/см$^{2}$: напряжение холостого хода $V_{\operatorname{OC}}$ = 0.52 В, ток короткого замыкания $I_{\operatorname{SC}}$ = 0.265 мА/см$^{2}$ и коэффициент заполнения $FF$ = 0.39.