Оперативный контроль полупроводниковых кристаллов InSe и GaSe методом ядерного квадрупольного резонанса

Для определения качества полупроводникового монокристалла слоистой структуры применен метод ядерного квадрупольного резонанса с последовательным сканированием всего объема образца и оценкой совершенства кристалла по наблюдаемым спектрам. Предложенный способ приемлем для слитков InSe, GaSe, GaS, выращенных методом Бриджмена в вакуумированных ампулах, и может применяться неоднократно при последующих технологических процедурах без доступа оператора к материалу. Для обеспечения ограниченной зоны сканирования исследуемого образца и эффективного взаимодействия высокочастотного (ВЧ) поля с кристаллом возбуждение и прием сигнала ядерной спиновой индукции производятся приемно-передающей катушкой спектрометра ЯКР седлообразной формы.