А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, А. В. Кукин, А. В. Семенов, Е. Е. Терукова, A. С. Титов, С. А. Яковлев, “Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8,страницы 1095

Физика полупроводниковых приборов

Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H

А. С. Абрамов^ab, Д. А. Андроников^ab, К. В. Емцев^ab, А. В. Кукин^ab, А. В. Семенов^ab, Е. Е. Терукова^ab, A. С. Титов^ab, С. А. Яковлев^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: В рамках работы исследована фотоиндуцированная деградация фотопреобразователей на основе тандемной структуры $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H при стандартной освещенности 1000 Вт/м$^{2}$. В ходе испытаний были измерены спектральные и вольт-амперные характеристики специально изготовленных образцов с различной степенью кристалличности собственного слоя нижнего (микрокристаллического) каскада.

Поступила в редакцию: 29.07.2015
Принята в печать: 28.08.2015