RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1128–1132 (Mi phts6399)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении

П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Рассмотрена эффективность введения пористого слоя, создаваемого в подложке структуры кремний-на-сапфире методом ионной имплантации ионов Не с целью повышения радиационной стойкости приборов. Проведен анализ свойств введенного слоя и его параметров, влияющих на снижение концентрации генерируемых облучением неосновных носителей заряда. Представленные результаты аналитического анализа и расчетов могут быть использованы для оптимизации режимов имплантации ионов Не при создании пористого слоя.

Поступила в редакцию: 23.12.2015
Принята в печать: 11.01.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:8, 1107–1111

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024