Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$

Проведены измерения и анализ прямых вольт-амперных характеристик меза-эпитаксиальных 4$H$-SiC диодов Шоттки при высоких полях в базовой $n$-области (до 4 $\cdot$ 10$^{5}$ В/см). Получена полуэмпирическая формула для полевой зависимости дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси c. Насыщенная скорость дрейфа составляет (1.55 $\pm$ 0.05) $\cdot$ 10$^{7}$ см/с при полях свыше 2 $\cdot$ 10$^{5}$ В/см.