RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 967–972 (Mi phts6422)

Углеродные системы

Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме

И. С. Котоусоваa, С. П. Лебедевab, А. А. Лебедевba

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Проведено электронографическое исследование структуры графеновых слоев, полученных сублимацией на поверхности подложки 6$H$-SiC (000$\bar1$), в зависимости от температуры сублимации и способа предобработки поверхности подложки. Установлено, что применение полирующего сублимационного травления подложки перед термодеструкцией при температуре 1350$^\circ$C на поверхности подложки приводит к образованию доменов монокристаллического графена с разворотом его кристаллической решетки на 30$^\circ$ относительно решетки SiC и небольшой доли доменов с аморфной структурой. Повышение температуры до 1500$^\circ$C приводит к частичному образованию в пленке поликристаллической фазы графена с турбостратной структурой при сохранении преимущественной ориентации кристаллитов графена, как при 1350$^\circ$C. Применение предростового отжига перед термодеструкцией позволяет вырастить графеновую пленку с более упорядоченной и однородной структурой без включений в нее аморфной и поликристаллической составляющих. Преимущественная ориентация доменов графена в пленке остается неизменной.

Поступила в редакцию: 28.12.2015
Принята в печать: 11.01.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:7, 951–956

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024