RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 834–838 (Mi phts6448)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле

С. А. Ивановa, Н. В. Никоноровa, А. И. Игнатьевa, В. В. Золотаревb, Я. В. Лубянскийb, Н. А. Пихтинbc, И. С. Тарасовb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Работа посвящена исследованию спектральных свойств мощного полупроводникового лазера с внешним резонатором, в котором осуществляется селекция продольных мод с помощью голографической объемной брэгговской решетки на фото-термо-рефрактивном стекле. В результате селекции исходный спектр лазерного диода шириной в 6 нм был сужен до 5 $\mathring{\mathrm{A}}$. В полученном спектре разрешился набор собственных мод, соответствующих длине лазерного чипа, количество которых ограничивалось шириной контура спектральной селективности решетки. Было показано, что установка голограммы внутрь резонатора увеличивает ее селектирующую способность в несколько раз. Исследования показали, что данная конструкция внешнего резонатора позволяет плавно перестраивать длину волны генерации лазера в пределах 10 нм.

Поступила в редакцию: 01.12.2015
Принята в печать: 07.12.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:6, 819–823

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024