Нестационарные процессы накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в полупроводниках в сильных электрических полях

Приведены результаты экспериментального исследования процессов накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в полупроводнике (кремниевые $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуры) в условиях дрейфового переноса. Показано, что при малом числе введенных в полупроводник электронно-дырочных пар процесс рассасывания симметричен процессу накопления (относительно момента смены направления протекающего тока). При большом числе введенных пар, когда начинается накопление дырок у тылового $n^{+}$-контакта, симметрия нарушается. Проведенный расчет процессов накопления и рассасывания в дрейфовом приближении оказался в хорошем согласии с экспериментом.