Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов

Исследованы гетероструктуры солнечных элементов на основе материалов GaAs/InGaAsN cо сверхрешеткой InAs/GaAsN, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Тестовый солнечный элемент $p$-GaAs/$i$-(InAs/GaAsN)/$n$-GaAs с активным слоем InGaAsN толщиной 0.9 мкм имеет напряжение холостого хода 0.4 В (при освещенности АМ1.5G) и квантовую эффективность $>$ 0.75 на длине волны 940 нм (при нулевых потерях на отражение), что соответствует току короткого замыкания 26.58 мА/см$^{2}$ (АМ1.5G, 100 мВт/см$^{2}$). Высокое значение напряжения холостого хода показывает возможность использования InGaAsN как материала с шириной запрещенной зоны 1 эВ в четырехкаскадных солнечных элементах.