А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5,страницы 674

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

А. Е. Жуков^ab, Г. Э. Цырлин^bca, Р. Р. Резник^da, Ю. Б. Самсоненко^ca, А. И. Хребтов^a, М. А. Калитеевский^ea, К. А. Иванов^ea, Н. В. Крыжановская^a, М. В. Максимов^a, Ж. И. Алфёров^ab

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский научный центр РАН
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и оптических свойств гетероструктур GaAs/AlGaAs, содержащих 228 каскадов, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, а также результаты моделирования межзонных оптических переходов и переходов между уровнями каскада.

Поступила в редакцию: 27.10.2015
Принята в печать: 02.11.2015