Исследование плотности электронных состояний в разрешенных зонах на поверхности (CdHg)Te

Приведены результаты экспериментального исследования плотности электронных и дырочных состояний в разрешенных зонах в приповерхностной области Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с ${x=0.2{-}0.3}$ методом эффекта поля в электролитах. Показано, что валентная зона и зона проводимости описываются непараболическим законом дисперсии в кейновском приближении; определены значения эффективных масс плотностей состояний в зонах (CdHg)Te на поверхности. Показано, что для образцов с ${x=0.25}$, характеризующихся минимальной плотностью дислокаций и низкой плотностью поверхностных состояний, на электронной ветви вольтфарадной характеристики наблюдается тонкая ступенчатая структура. Сделано предположение о квантовой природе тонкой структуры.