RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 441–446 (Mi phts6482)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Теория аномальной диффузии носителей заряда в неупорядоченных органических материалах для условий эксперимента CELIV

В. Р. Никитенко, М. М. Амракулов, М. Д. Хан

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Найдены аналитические решения для переходного тока в эксперименте СELIV (Charge Extraction by Linearly Increasing Voltage) как в квазиравновесном (с учетом стимулированной полем диффузии), так и в дисперсионном режиме переноса. С ростом беспорядка существенно уменьшается отношение времени прохождения тока через максимум ко времени пролета. Получены простые аналитические выражения для данного отношения, которые в каждом случае содержат лишь один безразмерный параметр, характеризующий данный материал. Определены условия, при которых можно применять известную теорию CELIV (без диффузии). Результат позволяет вычислить время пролета в случае, когда сигнал переходного тока имеет резко асимметричную форму, медленно убывая при больших временах.

Поступила в редакцию: 16.07.2015
Принята в печать: 21.09.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 435–439

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024