Аннотация:
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей на подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия $\sim$24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 105—1100 нм $\sim$80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразоввтелей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия $>$ 10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои.
Поступила в редакцию: 27.07.2015 Принята в печать: 28.08.2015