RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 549–552 (Mi phts6499)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии

Ш. Ш. Шарофидиновab, В. И. Николаевabc, А. Н. Смирновb, А. В. Чикирякаb, И. П. Никитинаb, М. А. Одноблюдовd, В. Е. Бугровa, А. Е. Романовab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский политехнический университет

Аннотация: Основной проблемой при эпитаксиальном росте толстых слоев AlN на подложке Si является образование трещин, что затрудняет использование подобных структур для создания полупроводниковых приборов. В настоящей работе была продемонстрирована возможность получения слоев AlN без трещин толщиной более 1 мкм с зеркально-гладкой поверхностью методом хлорид-гидридной эпитаксии. Свойства выращенных слоев были исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, оптической и сканирующей электронной микроскопии и рамановской спектроскопии.

Поступила в редакцию: 07.07.2015
Принята в печать: 17.07.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 541–544

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024