RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 300–303 (Mi phts65)

Многозначная анизотропия электропроводности в коротких образцах кремния

Г. В. Гигуашвили, З. С. Грибников, В. М. Миняйло, О. Г. Сарбей

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: Описаны результаты измерений ВАХ образцов кремния с током вдоль оси $\langle$110$\rangle$ и с размером вдоль направления тока, значительно меньшим размера вдоль направления поперечных полей, появляющихся при многозначном распределении электронов по долинам. Измеренные ВАХ свидетельствуют об образовании в многозначном режиме слоистой структуры поперечного поля. В малых магнитных полях эта структура фиксируется неоднородностями, а при увеличении магнитного поля дрейфует в холловском направлении.

Поступила в редакцию: 12.08.1985
Принята в печать: 01.09.1985



© МИАН, 2024